Samsung phát triển thành công DRAM DDR5 12nm với tốc độ xử lý lên đến

Hôm nay, Samsung Electronics đã công bố việc phát triển thành công DRAM DDR5 16 gigabit được chế tạo từ quy trình 12nm đầu tiên trong ngành, cũng như việc hoàn thành đánh giá sản phẩm về khả năng tương thích với AMD.

Bước nhảy vọt về công nghệ này có thể nhờ sử dụng vật liệu K giúp tăng điện dung của tế bào và công nghệ thiết kế độc quyền giúp cải thiện các đặc tính mạch quan trọng. Kết hợp với kỹ thuật in khắc cực tím (EUV) tiên tiến, nhiều lớp, DRAM mới có mật độ khuôn cao nhất trong ngành, cho phép tăng 20% năng suất tấm bán dẫn. Tận dụng tiêu chuẩn DDR5 mới nhất, DRAM 12nm của Samsung sẽ giúp mở khóa tốc độ lên tới 7,2Gbps. Điều này có nghĩa là xử lý hai phim UHD 30GB chỉ trong một giây.

Tốc độ vượt trội của DRAM mới phù hợp với hiệu suất năng lượng cao. Tiêu thụ điện năng ít hơn tới 23% so với DRAM trước đó, DRAM 12nm sẽ là giải pháp lý tưởng cho các công ty CNTT toàn cầu theo đuổi các hoạt động thân thiện với môi trường.

Với việc sản xuất hàng loạt sẽ bắt đầu vào năm 2023, Samsung có kế hoạch mở rộng dòng sản phẩm DRAM được xây dựng trên công nghệ xử lý 12nm tiên tiến này vào nhiều phân khúc thị trường, đồng thời tiếp tục hợp tác với các đối tác trong ngành để hỗ trợ việc mở rộng nhanh chóng các sản phẩm tiếp theo.

Nguồn: techmag.vn